http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/EP-0492253-A1
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| Predicate | Object |
|---|---|
| assignee | http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentassignee/MD5_4ddcb273a108a5d8472b335280098e06 |
| classificationCPCInventive | http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentcpc/G03F7-40 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentcpc/G03F7-405 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentcpc/G03F7-039 |
| classificationIPCInventive | http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentipc/G03F7-26 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentipc/G03F7-039 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentipc/G03F7-40 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentipc/H01L21-027 |
| filingDate | 1991-12-09-04:00^^<http://www.w3.org/2001/XMLSchema#date> |
| inventor | http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentinventor/MD5_7482e2b09c146de7a60ad7a3c46984ce http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentinventor/MD5_aa68967d6097150d500c7a28c36fdf4d http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentinventor/MD5_3b072f1f665595973691f9c24f93bca6 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentinventor/MD5_a019ad0c9ae31d720d07866badf23e3e http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentinventor/MD5_b87e931d8956b93cfdce63ecd5b8df47 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentinventor/MD5_a14aca620283980c7fff27155cd85c84 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentinventor/MD5_094a8ba853a28be254df4ed598ad3c2b |
| publicationDate | 1992-07-01-04:00^^<http://www.w3.org/2001/XMLSchema#date> |
| publicationNumber | EP-0492253-A1 |
| titleOfInvention | Photolithographic process |
| abstract | Auf ein Substrat wird eine Photoresistschicht aus einer Polymerkomponente mit funktionellen Gruppen, die zu einer Reaktion mit primären oder sekundären Aminen befähigt sind, und N-blockierten Imidgruppen, einem bei Belichtung eine Säure freisetzenden Photoinitiator und einem geeigneten Lösungsmittel aufgebracht; die Photoresistschicht wird getrocknet; die Photoresistschicht wird bildmäßig belichtet; die belichtete Photoresistschicht wird einer Temperaturbehandlung unterworfen; die derart behandelte Photoresistschicht wird mit einem wäßrig-alkalischen oder organischen Entwickler zu einer Photoresiststruktur entwickelt; die Photoresiststruktur wird mit einem ein primäres oder sekundäres Amin enthaltenden chemischen Agens behandelt; bei der Entwicklung wird dabei ein definierter Dunkelabtrag im Bereich zwischen 20 und 100 nm eingestellt.A method for structure generation in the submicron range is characterized by the following steps: A photoresist layer composed of a polymer component having functional groups which are capable of reacting with primary or secondary amines and N-blocked imide groups, an acid-releasing photoinitiator and a suitable solvent is applied to a substrate; the photoresist layer is dried; the photoresist layer is exposed imagewise; the exposed photoresist layer is subjected to a temperature treatment; the photoresist layer treated in this way is developed with an aqueous alkaline or organic developer to form a photoresist structure; the photoresist structure is treated with a chemical agent containing a primary or secondary amine; during development, a defined dark erosion is set in the range between 20 and 100 nm. |
| isCitedBy | http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/DE-10142600-B4 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/FR-2716547-A1 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/US-7157189-B2 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/DE-19504434-C1 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/US-6063543-A http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/US-6127098-A http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/US-6974655-B2 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/US-7033740-B2 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/DE-19857094-B4 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/US-6893972-B2 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/US-7018784-B2 |
| priorityDate | 1990-12-20-04:00^^<http://www.w3.org/2001/XMLSchema#date> |
| type | http://data.epo.org/linked-data/def/patent/Publication |
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