http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/EP-0216425-A2
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| Predicate | Object |
|---|---|
| assignee | http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentassignee/MD5_5d188ec23eddac02e70cfb65844dd4fd http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentassignee/MD5_2b8b744d430e252fa21c14c2b8dee176 |
| classificationCPCInventive | http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentcpc/H01L21-31055 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentcpc/H01L21-31116 |
| classificationIPCInventive | http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentipc/H01L21-3065 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentipc/H01L21-302 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentipc/H01L21-3105 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentipc/H01L21-311 |
| filingDate | 1986-09-17-04:00^^<http://www.w3.org/2001/XMLSchema#date> |
| inventor | http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentinventor/MD5_8a2e5da474fcff53a4bdef426558a085 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentinventor/MD5_4d8080555449e06c458f7690ce18d61c |
| publicationDate | 1987-04-01-04:00^^<http://www.w3.org/2001/XMLSchema#date> |
| publicationNumber | EP-0216425-A2 |
| titleOfInvention | Process for planarizing the surface of a semiconductor device using silicon nitride as an insulating material |
| abstract | a) un dépôt d'une couche de nitrure de silicium (14), b) un dépôt d'une couche de laque (15) dont la surface libre est sensiblement plane, c) une attaque progressive, par plasma, de la couche de laque (15) jusqu'à ce que les portions les plus proéminentes de la couche de nitrure de silicium (14) soient complètement découvertes, l'apparition complète de ces portions les plus proéminentes étant détectée par enregistrement des variations d'intensité d'une raie d'émission de l'azote, d) une attaque simultanée par plasma de la couche de nitrure de silicium (14) et de la laque restante (15) jusqu'à ce que la configuration de contact apparaisse complètement. Ce procédé est caractérisé en ce que, les conditions de l'attaque sont choisies telles que la vitesse d'attaque de la laque (15) soit supérieure à la vitesse d'attaque du nitrure de silicium (14), ceci afin de détecter avec une sensibilité accrue à l'aide dudit enregistrement, l'apparition complète de la configuration de contact. Method for flattening the surface of a semiconductor device (10) which comprises a substrate (11) carrying on its surface (12) a contact configuration (13), method essentially consisting in performing successively: a) depositing a layer of silicon nitride (14), b) depositing a layer of lacquer (15) whose free surface is substantially flat, c) a progressive attack, by plasma, of the lacquer layer (15) until the most prominent portions of the silicon nitride layer (14) are completely uncovered, the complete appearance of these most prominent being detected by recording variations in intensity of a nitrogen emission line, d) simultaneous plasma attack of the silicon nitride layer (14) and of the remaining lacquer (15) until the contact configuration appears completely. This method is characterized in that the attack conditions are chosen such that the attack speed of the lacquer (15) is greater than the attack speed of the silicon nitride (14), this in order to detect with increased sensitivity using said recording, the complete appearance of the contact configuration. n n n Application to semiconductor components. |
| isCitedBy | http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/US-5212114-A http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/EP-0240683-A1 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/EP-0336461-A1 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/FR-2627902-A1 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/EP-0325939-A2 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/EP-0325939-A3 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/EP-0244848-A1 |
| priorityDate | 1985-09-20-04:00^^<http://www.w3.org/2001/XMLSchema#date> |
| type | http://data.epo.org/linked-data/def/patent/Publication |
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