http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/EP-0100266-A1
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| Predicate | Object |
|---|---|
| assignee | http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentassignee/MD5_f16f3beb32124135db9ff8fca4e3c8b5 |
| classificationCPCAdditional | http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentcpc/Y10S423-10 |
| classificationCPCInventive | http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentcpc/C01B33-1071 |
| classificationIPCInventive | http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentipc/C01B33-02 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentipc/C01B33-107 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentipc/C01B33-027 |
| filingDate | 1983-07-13-04:00^^<http://www.w3.org/2001/XMLSchema#date> |
| inventor | http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentinventor/MD5_2cad40c6eb37f603cd3dafdda8887c1a http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patentinventor/MD5_d5a7bc83f7b38f162c49a4e553ebd359 |
| publicationDate | 1984-02-08-04:00^^<http://www.w3.org/2001/XMLSchema#date> |
| publicationNumber | EP-0100266-A1 |
| titleOfInvention | Process for the manufacture of a mixture based on trichlorosilane for use in the manufacture of high purity silicon |
| abstract | The present invention relates to a process for the preparation of a mixture based on trichlorosilane which can be used for the preparation of high purity silicon.n n n - dans une première étape, on réalise la réduction de tétrachlorure de silicium par de l'hydrogène en vue de la production de trichlorosilane, ladite réaction étant effectuée dans un plasma thermique avec trempe du milieu réactionnel; - dans une deuxième étape, on fait réagir, à 250-350° C, et de préférence en présence de cuivre comme catalyseur, le mélange réactionnel provenant de la première étape avec du silicium métallique de façon à consommer l'acide chlorhydrique contenu dans ledit mélange réactionnel et à produire du trichlorosilane et de l'hydrogène; - puis on sépare, d'une part, les gaz permanents, à savoir les gaz plasmagènes, l'hydrogène et éventuellement le gaz de trempe que l'on recycle et, d'autre part, les dérivés du silicium qui sont éventuellement purifiés avant une éventuelle décomposition dans des conditions connues du trichlorosilane. The method according to the present invention is characterized in that: - In a first step, the reduction of silicon tetrachloride is carried out with hydrogen for the production of trichlorosilane, said reaction being carried out in a thermal plasma with quenching of the reaction medium; - In a second step, the reaction mixture from the first step is reacted at 250-350 ° C., and preferably in the presence of copper as a catalyst, with metallic silicon so as to consume the hydrochloric acid contained in said reaction mixture and to produce trichlorosilane and hydrogen; - Then, on the one hand, the permanent gases, namely the plasma gases, hydrogen and possibly the quenching gas which are recycled and, on the other hand, the silicon derivatives which are optionally purified beforehand possible decomposition under known conditions of trichlorosilane. |
| isCitedBy | http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/DE-19502550-B4 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/DE-102010044755-A1 http://rdf.ncbi.nlm.nih.gov/pubchem/patent/WO-2012032129-A1 |
| priorityDate | 1982-07-26-04:00^^<http://www.w3.org/2001/XMLSchema#date> |
| type | http://data.epo.org/linked-data/def/patent/Publication |
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